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Offenbart ist ein Verfahren zur Herstellung von Flash-Speicher-Bauelementen. Gemäß der vorliegenden Erfindung weist das Verfahren die Schritte des sequentiellen Bildens einer Gate-Oxidschicht, einer ersten Polysiliziumschicht für eine Floating-Gate-Elektrode und einer Polster-Nitridschicht auf einem Halbleitersubstrat, das Mustern der Gate-Oxidschicht, der ersten Polysiliziumschicht, der Polster-Nitridschicht und des Halbleitersubstrats in einer gegebenen Dicke, um ein Isolationsschichtmuster und ein Floating-Gate-Elektroden-Muster zur gleichen Zeit zu bilden, des Füllens der Isolationsschichtmuster mit einer Isolationsschicht, um eine Isolationsschicht zu bilden, und des anschließenden Stripping der Polster-Ntiridschicht, des sequentiellen Bildens einer dielektrischen Schicht, einer zweiten Polysiliziumschicht für eine Steuer-Gate-Elektrode und einer Metall-Siliziumschicht auf den Ergebnissen, des Strukturierens der Metall-Silizidschicht und der zweiten Polysiliziumschicht, um ein Steuer-Gate-Elektroden-Muster zu bilden, des Ausführens eines elektrochemischen Prozesses mit den Ergebnissen, auf, wodurch die erste Polysiliziumschicht, die in Regionen ausgebildet ist, die sich unterscheiden von der Region, in der die zweite Polysiliziumschicht auf der Isolationsschicht und in der das Floating-Gate-Elektroden-Muster gebildet ist, eine poröse Siliziumschicht wird, des Ausführens eines thermischen Oxidationsprozesses mit den Ergebnissen, so dass die poröse Siliziumschicht ...
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