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发明名称
Active termination resistors in a memory system and adjusting method thereof
摘要
申请公布号
KR100480647(B1)
申请公布日期
2005.03.31
申请号
KR20040095895
申请日期
2004.11.22
申请人
发明人
分类号
G11C11/407;G11C7/10;G11C11/40;G11C11/4093;(IPC1-7):G11C11/407
主分类号
G11C11/407
代理机构
代理人
主权项
地址
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