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Eine wie eine Wanne geformte p-dotierte Basisschicht (2) ist für jede der IGBT-Zellen ausgebildet und eine p·+·-dotierte Kollektorschicht (5) und eine n·+·-dotierte Kathodenschicht (4) sind auf einer Oberfläche, welche einer Oberfläche gegenüberliegt, auf der die p-dotierte Basisschicht (2) ausgebildet ist, so ausgebildet, dass sie sich gerade unterhalb der p-dotierten Basisschicht (2) befindet. Die p-dotierte Basisschicht (2) jeder der IGBT-Zellen beinhaltet einen flachen Bereich (2FR), der einen Emitterbereich (3) und eine von einem Hauptgraben (6) durchdrungene Bodenoberfläche (2BF) enthält, und erste und zweite Seitendiffusionsbereiche (2SDR1, 2SDR2), zwischen denen der flache Bereich (2FR) eingefügt ist. Der erste Seitendiffusionsbereich (2SDR1) befindet sich gerade oberhalb der n·+·-dotierten Kathodenschicht (4) und jede der Bodenoberflächen (2BS1, 2BS2) der Seitendiffusionsbereiche (2SDR1, 2SDR2) bildet im Längsschnitt eine parabelförmige sanfte Kurve. Durch Ersetzen der p·+·-dotierten Kollektorschicht (5) mit der n·+·-dotierten Kathodenschicht (4) ist es möglich, Merkmale des obigen Aufbaus auf einen Leistungs-MOSFET anzuwenden.
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