| 发明名称 | 多层式电介质抗反射层及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种多层式电介质抗反射层，适用于一基板与一光刻胶层之间，是在该基板上依序形成第一电介质抗反射层，接着在该第一电介质抗反射层上进行特别的等离子体处理，如N<SUB>2</SUB>O等离子体增强，形成第一等离子体薄膜。其中第一电介质抗反射层与第一等离子体薄膜形成一抗反射层组合。接着在该第一等离子体薄膜上依序形成N层该抗反射层组合以形成一多层式电介质抗反射层，其中N为自然数，介于1-4之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1195315C | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN02107423.2 | 申请日期 | 2002.03.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陆志诚;陈启群;张文 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红;潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种多层式电介质抗反射层，适用于一基板与一光刻胶层之间，其特征在于，它包括：一第一电介质抗反射层，位于该基板上；一第一等离子体薄膜，位于该第一电介质抗反射层上；以及N层的抗反射层组合，位于该第一等离子体簿膜上，其中N为自然数，介于1-4之间，且其中各抗反射层组合包含一电介质抗反射层与一位于该电介质抗反射层上的等离子体薄膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||