| 发明名称 |
METHOD TO FABRICATE ELEVATED SOURCE-DRAIN STRUCTURES IN MOS TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG109513(A1) |
申请公布日期 |
2005.03.30 |
| 申请号 |
SG20030003065 |
申请日期 |
2003.05.21 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
YUNG FU CHONG;RANDALL CHER LIANG CHA;ALEX SEE |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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