发明名称 |
一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM |
摘要 |
本实用新型涉及集成电路领域,并具体的公开了一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM及其实现方法。本实用新型的同步单口SRAM包括:一个普通的同步单口静态随机存储器本体(1),并且还包括一个多输入多输出端的映射逻辑电路模块(2),所述映射逻辑电路模块(2)包含有用于连接上述同步单口静态随机存储器本体(1)各个信号端的端口,同时该映射逻辑电路模块(2)还包含有用于连接同步双口静态随机存储器所适用之信号端的端口,该映射逻辑电路模块(2)在上述同步单口静态随机存储器本体(1)和对应于同步双口静态随机存储器的各信号端口之间进行映射连接。 |
申请公布号 |
CN2689399Y |
申请公布日期 |
2005.03.30 |
申请号 |
CN200320129405.2 |
申请日期 |
2003.12.19 |
申请人 |
北京中星微电子有限公司 |
发明人 |
朱哲;金传恩 |
分类号 |
G11C11/41;G11C11/413 |
主分类号 |
G11C11/41 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种可实现同步双口静态随机存储功能的同步单口静态随机存储器,包括一个普通的同步单口静态随机存储器本体(1),其特征在于:还包括一个多输入多输出端的映射逻辑电路模块(2),所述映射逻辑电路模块(2)包含有用于连接上述同步单口静态随机存储器本体(1)各个信号端的端口,同时该映射逻辑电路模块(2)还包含有用于连接同步双口静态随机存储器所适用之信号端的端口,该映射逻辑电路模块(2)在上述同步单口静态随机存储器本体(1)和对应于同步双口静态随机存储器的各信号端口之间进行映射连接,使得原本连接同步双口静态随机存储器端口的两套信号端映射于所述同步单口静态随机存储器本体(1)的相应功能端口上。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |