发明名称 含羞草的繁殖方法
摘要 含羞草的繁殖方法,它在现有技术五步骤——(1)外植体消毒、(2)萌发无菌苗、(3)诱导愈伤组织、(4)诱导不定芽发生和(5)培养生根的基础上对步骤(3)~(5)进行改进:步骤(3)采用MS+2mg/L2,4-D+0.2mg/L 6-BA培养基;步骤(4)采用MS或B5+1.0-2.0mg/L 6-BA+0-0.5mg/L TDZ培养基;步骤(5)采用B5+2 mg/L IAA的培养基、或者1/2MS+0.5-2mg/LIBA或NAA培养基。本方法能明显提高含羞草的无性繁殖系数,且操作简便。
申请公布号 CN1600080A 申请公布日期 2005.03.30
申请号 CN200410051960.7 申请日期 2004.10.27
申请人 华南师范大学 发明人 陈刚;李玲
分类号 A01H4/00 主分类号 A01H4/00
代理机构 广州粤高专利代理有限公司 代理人 王楚鸿
主权项 1、一种含羞草的繁殖方法,其特征在于包括如下步骤:(1)外植体消毒:将含羞草种子置于65-75%乙醇中浸泡20-60s,0.1%升汞中灭菌4-15min,再用无菌水冲洗3-6次;(2)萌发无菌苗:消毒后的种子接种到1/2MS培养基上培养15-30天,萌发出无菌苗,培养条件为温度25±2℃,光照强度1500Lux,光照时间12h·d-1;(3)诱导愈伤组织:将无菌苗置于配方为MS+2mg/L 2,4-D+0.2mg/L6-BA的培养基中诱导愈伤组织,培养时间为10-30天,培养条件同步骤(2);(4)诱导不定芽发生:将愈伤组织置于配方为MS或B5+1.0-2.0mg/L6-BA+0-0.5mg/L TDZ的培养基上培养30-60天获得不定芽,培养条件同步骤(2);(5)培养生根:将步骤(4)所得到的不定芽分切成单株,在B5+2mg/LIAA的培养基、或者1/2MS+0.5-2mg/L IBA或NAA培养基上培养10-30天,培养条件同步骤(2)。
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