| 发明名称 | 应用于推挽式电路的消磁电路 | ||
| 摘要 | 一种应用于推挽式电路的消磁电路，其主要是在正半周电路动作而负半周电路呈关闭状态时，将正半周电路的MOSFET(金属－氧化物－半导体场效管)端脉宽调变讯号(Vga)反向后(PWB)送入负半周消磁电路中，使负半周消磁电路形成导通短路现象，作为正半周消磁的动作，亦在负半周电路动作时，将负半周电路的MOSFET端脉宽调变讯号(Vgb)反向后(PWA)送至正半周消磁电路中，持续交换做短路消磁动作，以防止变压器残磁产生进而保护变压器。 | ||
| 申请公布号 | CN1601878A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN200410085840.9 | 申请日期 | 2004.10.20 |
| 申请人 | 系统电子工业股份有限公司 | 发明人 | 张峻菁 |
| 分类号 | H02M7/519 | 主分类号 | H02M7/519 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 曾旻辉;胡杰 |
| 主权项 | 1.一种应用于推挽式电路的消磁电路，包括：一个正半周驱动电路，其包括用于调变脉冲宽度的第一晶体管、第二晶体管，以及供导通之用的二极管；一个负半周驱动电路，其包括用于调变脉冲宽度的第一晶体管、第二晶体管，以及供导通之用的二极管；一个变压器，与正半周驱动电路及负半周驱动电路相连接，输出交流电。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县中和市中正路868之3号10楼 | ||