| 发明名称 | 一种锑掺杂多元氧化物透明导电膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种锑掺杂的多元氧化物透明导电薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域。在Zn－Sn－O薄膜中进行锑掺杂，用射频磁控溅射技术在真空条件下制备出具有多晶结构的Zn－Sn－O:Sb透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分为氧化锌、氧化锡和三氧化二锑；制备工艺条件为：氩气分压0.5－5Pa，氧气分压0－6mPa，溅射功率50－200W，温度150－450℃。本发明的复合透明导电薄膜材料兼备ZnO在氢等离子体中稳定性好和SnO<SUB>2</SUB>电学稳定性高的优点，同时价格低而且无毒，应用范围增大，应用前景广阔，可替代目前大量使用的ITO薄膜，可节约大量贵重金属铟。 | ||
| 申请公布号 | CN1600895A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN200410035913.3 | 申请日期 | 2004.10.12 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 马瑾;黄树来;马洪磊 |
| 分类号 | C23C14/35;C04B35/453 | 主分类号 | C23C14/35 |
| 代理机构 | 济南金海诺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周慰曾 |
| 主权项 | 1、锑掺杂多元氧化物透明导电薄膜材料的制备方法，其特征在于在Zn-Sn-O薄膜中进行锑掺杂，用射频磁控溅射技术在真空条件下制备出具有多晶结构的Zn-Sn-O:Sb透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分如下，均为摩尔份：氧化锌 1-2份，氧化锡 1-2份，三氧化二锑 0.03-0.1份；Zn-Sn-O:Sb透明导电膜制备工艺条件为：氩气分压0.5-5Pa，氧气分压0-6mP，溅射功率50-200W，温度150-450℃。 | ||
| 地址 | 250100山东省济南市历城区山大南路27号 | ||