形成在源漏极上具有金属硅化物的晶体管的方法

摘要

一种形成在源漏极上具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：提供硅基底；基底上形成第一介电质层、导体层、第二介电质层；执行图案转移步骤，藉以移除部分的第二介电层与部分的导体层以形成一栅极结构；在栅极结构的侧壁上形成间隙壁；掺杂金属颗粒至硅基底，在此这些金属颗粒可以穿透第一介电质层至硅基底内但并不能穿透第二介电质层至导体层内；执行热处理程序，藉以在硅基底上形成金属硅化物层；以及移除末反应的部分金属颗粒。

主权项

1.一种形成在源漏极上具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管的方法，至少包括：提供一硅基底；在该硅基底上形成一第一介电质层，该第一介电质层至少可作为一栅极介电质层；在该第一介电质层上形成一导体层，该导体层至少可作为一栅极导体层；在该导体层上形成一第二介电质层；执行一图案转移步骤，以移除部分的该第二介电层、部分的该导体层与部分的该第一介电质层，以形成一栅极结构；在该栅极结构的侧壁上形成一间隙壁；掺杂金属颗粒至该硅基底；执行一热处理程序，以在该硅基底上形成一金属硅化物层；以及移除没有进行反应的一部分该些金属颗粒，其中上述金属颗粒以离子注入技术掺杂至该基底。