| 发明名称 | 硅基光子集成的器件及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种锗硅的光波导器件，包括一个SiGe的波导阵列光栅的波长复用/解复用器和一组SiGe的光探测器。它工作光波长范围1.1～1.6微米。制作方法为：器件基片通过一次外延得到，先生长低Ge组分的SiGe导波层；然后生长具有高Ge组分的SiGe光探测层；器件含复用/解复用器和探测器两部分，用刻蚀方法将复用/解复用器部分上的高组分的SiGe层腐蚀掉，然后在复用/解复用器部分制作波导阵列光栅，在探测器部分制作波导型光探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN1195326C | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN02118525.5 | 申请日期 | 2002.04.26 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 黄昌俊;邓晓清;成步文;王红杰;杨沁清;余金中;胡雄伟;王启明 |
| 分类号 | H01L31/00;G02B6/12;H04J14/00 | 主分类号 | H01L31/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种硅基光子集成的器件，其特征在于，用硅锗制作平面光波回路的解复用器将光网络中不同波长的载波实现空间分离，然后通过集成在同一芯片上的多个硅锗光电探测器，实现光电转化。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄 | ||