| 发明名称 | 一种SOI功率器件中的槽形绝缘耐压层 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种SOI功率器件中的槽形绝缘耐压层，其特征是在SOI功率器件中绝缘层两侧或一侧制作梯形、或矩形绝缘槽，绝缘层两侧的槽是对位排列或错位排列。在本发明的基础上制作功率器件，可以在半导体层和绝缘层的界面上引入界面电荷，根据电位移的全连续性，大幅度提高绝缘层内电场，使绝缘层电场比常规SOI结构提高5～7倍(对于Si/SiO<SUB>2</SUB>体系，可从60V/μm提高到300～400V/μm以上)，从而制作耐压极高的SOI功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1601751A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN03135892.6 | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 李肇基;方健;郭宇锋;张波 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L29/78;H01L21/84;H01L21/336 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种SOI功率器件中的槽形绝缘耐压层，它包括衬底层(1)、绝缘层(I层)(2)、有源层(S层)(3)，其特征是它还包括耐压层(14)和(15)，耐压层14和15分别由多个绝缘槽单元(35)均匀分布在I层(2)的两侧组成；耐压层(14)和(15)分别位于I层(2)的两侧并与I层(2)相连，耐压层(14)的另一侧与衬底(1)相连，耐压层(15)的另一侧与S层(2)相连。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路2号 | ||