| 发明名称 | 浅槽隔离区与动态随机存取存储器的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种浅槽隔离区与动态随机存取存储器的结构及其制造方法。其中，首先在一衬底上形成一图案化的掩模层，接着进行一离子注入步骤，以在未被掩模层覆盖的衬底中形成一掺杂区。之后进行一蚀刻步骤以图案化衬底，而在衬底中形成一沟槽，其中沟槽的底部暴露出掺杂区。然后，于沟槽内填入一绝缘层以形成一浅槽隔离区。本发明仅在浅槽隔离区的底部处形成有掺杂区，而不会于浅槽隔离区的侧壁处形成有掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN1601719A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN03159796.3 | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 李岳川;陈世芳 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种浅槽隔离区的制造方法，该浅槽隔离区用以定义出一有源区，该方法包括：在一衬底上形成一图案化的掩模层；在未被该掩模层覆盖的该衬底中形成一掺杂区；在该衬底中形成一沟槽，其中该沟槽的底部暴露出该掺杂区；以及在该沟槽内填入一绝缘层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园 | ||