Ar气保护下生长N－Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法

摘要

本发明的Ar气保护下生长N－Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^－3Pa，以铝的质量百分含量为0.1～0.3％的锌铝合金为靶材，以纯度99.99％以上的N₂O和纯度99.99％以上的Ar作为溅射气氛，Ar的分压为气体总压强的15～25％，将两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室，在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在3～5Pa压强下，将衬底加热到温度为450～550℃，进行溅射生长，在衬底上沉积N－Al共掺的p型ZnO晶体薄膜。本发明方法制得的晶体薄膜具有较好的掺杂均匀性、可重复性和稳定性，良好的光学性能和p型传导特性。

主权项

1.Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是：将衬底清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少4×10-3Pa，以铝的质量百分含量为0.1～0.3％的锌铝合金为靶材，以纯度99.99％以上的N2O和纯度99.99％以上的Ar作为溅射气氛，Ar的分压为气体总压强的15～25％，将两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室，在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在3～5Pa压强下，将衬底加热到温度为450～550℃，进行溅射生长，在衬底上沉积N-Al共掺的p型ZnO晶体薄膜，沉积时间为20～40min。