首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 FORMATION OF INTERFACIAL OXIDE LAYER AT THE SI3N4/SI INTERFACE BY H2/O2 ANNEALING
摘要
申请公布号 SG109459(A1) 申请公布日期 2005.03.30
申请号 SG20010004577 申请日期 2001.07.26
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, LTD 发明人 LIN WENHE;ZHONG DONG;KIN LEONG PEY;SIMON CHOOI;MEI SHENG ZHOU;TING CHEONG ANG
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com