一种高沉积速率PCVD工艺制作光纤芯棒的方法

摘要

本发明涉及一种高沉积速率PCVD工艺制作芯棒的方法，采用等离子体化学气相沉积，在圆管形的石英衬管内壁上沉积纯硅或掺杂的氧化硅层，包括流经石英衬管的原料气体(或蒸气)，石英衬管穿过筒形的谐振腔且周期转动，同时谐振腔沿石英衬管轴向往复移动，其特征在于高频系统的输出高频功率最大可达3～6KW；反应所需主要原料气体的流量最高可达：以纯SiCl₄蒸气计800～2000sccm，总O₂ 1500～5000sccm，以纯GeCl₄蒸气计20～500sccm，以纯Freon蒸气计10～100sccm；可实现的最大沉积速率(以纯硅计)为1.80～3.50g/min，沉积完毕后，在缩棒设备上将沉积管熔缩成实心芯棒。本发明能在保持PCVD原有工艺特性的基础上有效提高其沉积速率，从而提高PCVD工艺的生产效率。

主权项

1、一种高沉积速率PCVD工艺制作光纤芯棒的方法，采用等离子体化学气相沉积，在圆管形的石英衬管内壁上沉积纯硅或掺杂的氧化硅层，包括流经石英衬管的原料气体或蒸气，石英衬管穿过筒形的谐振腔且周期转动，同时谐振腔沿石英衬管轴向往复移动，其特征在于高频系统的输出高频功率最大为3～6KW，不包括3KW；反应所需主要原料气体的流量最高为：以纯SiCl4蒸气计800～2000sccm，总O2 1500～5000sccm，以纯GeCl4蒸气计20～500sccm，以纯氟里昂蒸气计10～100sccm；最大沉积速率以纯硅计为1.80～3.50g/min，沉积完毕后，在缩棒设备上将沉积管熔缩成实心芯棒。