| 发明名称 | 制作一半导体发光元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制作一半导体发光元件的方法。该方法包含于一基板表面形成至少一半导体叠层结构，此半导体叠层结构包含有一第一导电型式半导体层、一发光层以及一第二导电型式半导体层依序设于基板表面；然后于半导体叠层结构表面形成一含铟元素的电极接触层，并且进行一微波处理，以活化半导体叠层结构，最后再于电极接触层表面形成一透明导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN1601775A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN200410085834.3 | 申请日期 | 2004.10.20 |
| 申请人 | 国联光电科技股份有限公司 | 发明人 | 蔡宗良;张智松;陈泽澎 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 曾旻辉;胡杰 |
| 主权项 | 1、一种制作一半导体发光元件的方法，该方法包含有下列步骤：(1)提供一基板；(2)于所述的基板表面形成至少一半导体叠层结构，且该半导体叠层结构包含有一第一导电型式半导体层、一发光层以及一第二导电型式半导体层依序设于该基板表面；(3)于所述的半导体叠层结构表面形成一含铟元素的电极接触层；(4)进行一微波处理，以活化所述的半导体叠层结构；以及(5)于所述的电极接触层表面形成一透明导电层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学园区力行路十号九楼 | ||