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发明名称 Formation method of trench oxide in semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100478496(B1) 申请公布日期 2005.03.29
申请号 KR20020076825 申请日期 2002.12.05
申请人 发明人
分类号 H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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