发明名称 Vorrichtung zur Vermessung einer Belichtungsintensität auf einem Wafer
摘要 Die vorliegende Erfindung stellt eine Vorrichtung zur Vermessung einer Belichtungsintensität auf einem Wafer bereit mit: DOLLAR A einer Belichtungseinrichtung (10) zum Erzeugen einer Strahlung (11) mit einer vorbestimmten Wellenlänge; einer Maske (12) in einem ersten vorbestimmten Abstand zur Belichtungseinrichtung (10) zum strukturierten Belichten eines Wafers; einer Detektionseinrichtung (16) zum Erfassen der Belichtungsintensität in einem zweiten vorbestimmten Abstand zur Belichtungseinrichtung (11); und einer in den Strahlengang (13) bewegbaren Kompensationseinrichtung (14) zwischen der Belichtungseinrichtung (10) und der Detektionseinrichtung (16) zum Beeinflussen des Strahlenganges (13).
申请公布号 DE10337037(A1) 申请公布日期 2005.03.24
申请号 DE20031037037 申请日期 2003.08.12
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 TEUBER, SILVIO;RAU, JENSPETER
分类号 G03F7/20;(IPC1-7):G01J1/04 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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