| 发明名称 |
BIPOLAR TRANSISTOR USING LEAKAGE CURRENT PREVENTING REGION FOR PREVENTING INCREASE OF LEAKAGE CURRENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100480674(B1) |
申请公布日期 |
2005.03.24 |
| 申请号 |
KR19980001178 |
申请日期 |
1998.01.16 |
| 申请人 |
FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD. |
发明人 |
YOON, YEONG SIK |
| 分类号 |
H01L29/73;(IPC1-7):H01L29/73 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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