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Es soll ein vertikaler Nano-Transistor angegeben werden, der mechanischen Beanspruchungen gut widersteht und in seiner Herstellung weniger aufwändig ist, als bisher dem Stand der Technik nach bekannt. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass der vertikale Nano-Transistor einen Source-Kontakt, einen Drain-Kontakt, einen Gate-Bereich und einen zylinderförmigen halbleitenden Kanalbereich zwischen dem Source- und dem Drain-Kontakt aufweist, wobei der zylinderförmige Kanalbereich in ein flexibles Substrat eingebettet und vom Gate-Bereich, der von einer Metallschicht auf dem flexiblen Substrat und im oberen Teil des Kanalbereichs gebildet ist, derart umschlossen ist, dass der Gate-Bereich und der obere Abschnitt des Kanalbereichs eine koaxiale Struktur bilden und der Source-Bereich, der halbleitende Kanalbereich und der Drain-Bereich in vertikaler Richtung angeordnet sind und der Gate-Bereich zum Source-Bereich, zum Drain-Bereich und zum halbleitenden Kanalbereich und die Ober- und Unterseite des flexiblen Substrats eine elektrische Isolierung aufweist. Ein Speicheranordnung besteht aus einer Vielzahl derartiger vertikaler Nano-Transistoren, für die auch ein Verfahren zur Herstellung angegeben wurde.
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