| 发明名称 |
BOOSTING VOLTAGE CLAMPING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR PREVENTING GATE OR JUNCTION FROM BEING DESTROYED DUE TO OVER BOOSTING BY AUTOMATICALLY CONTROLLING DISCHARGING CAPACITY OF BOOSTING VOLTAGE CLAMPER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100480555(B1) |
申请公布日期 |
2005.03.24 |
| 申请号 |
KR19970025211 |
申请日期 |
1997.06.17 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
LIM, SEONG MIN |
| 分类号 |
G11C11/407;(IPC1-7):G11C11/407 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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