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Die Erfindung bezieht sich auf ein hochintegriertes Halbleiterbauelement mit einem Halbleitersubstrat (100) mit einem Sourcebereich und einem Drainbereich (150a, 150b), von denen wenigstens einer einen schwach dotierten und einen stark dotierten Bereich (130a, 130b, 140a, 140b) umfasst, einer Gateelektrode (110), die auf einem vorgegebenen Bereich des Halbleitersubstrats angeordnet ist, und einer Silicidschicht (160), die auf der Gateelektrode und wenigstens dem stark dotierten Bereich (140a, 140b) des Source- und/oder des Drainbereichs ausgebildet ist. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist eine epitaxiale Schicht (120) auf vorgegebenen Bereichen des Halbleitersubstrats beidseits der Gateelektrode derart angeordnet, dass die Gateelektrode um eine vorgegebene Tiefe in der epitaxialen Schicht vertieft ist, wobei der Sourcebereich und der Drainbereich in der epitaxialen Schicht und vorgegebenen oberen Bereichen des Halbleitersubstrats unterhalb der epitaxialen Schicht ausgebildet sind. Ein Offset-Abstandshalter (115) ist entlang wenigstens einer Seitenwand der Gateelektrode ausgebildet und isoliert die Gateelektrode von dem Source- und dem Drainbereich. Die Silicidschicht (160) ist auch auf dem schwach dotierten Bereich des Source- und/oder Drainbereichs ausgebildet. DOLLAR A Verwendung z. B. für hochintegrierte Halbleiterspeicherbauelemente.
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