| 主权项 |
1.一种曝光方法,其利用一曝光光线之反射光罩而在待曝光物件上投射一期望图案,该方法包括以下步骤:藉由分割一光罩图案之复数个图案形成元素,而提供个别反射光罩,各具有仅由该等图案形成元素所组成之该光罩图案,该等图案形成元素之方向与个别纵向相同,该光罩图案相对于该曝光光线之投射向量而对应至该期望图案;藉由在该个别方向发射该曝光光线及其相对于个别反射光罩之反射光,在该待曝光物件上循序实施该光罩图案之投射;及当一反射光罩改成另一反射光罩时,旋转该其他反射光罩及该待曝光物件,俾使该其他反射光罩之复数个图案形成元素与该投射向量之角度,成为相等于该一反射光罩之复数个图案形成元素与该投射向量之角度。2.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中该个别方向之反射光罩包括一V线光罩及一H线光罩,V线光罩具有之图案只包括垂直于该投射向量之图案形成元素,而H线光罩具有之图案只包括平行于该投射向量之图案形成元素。3.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中该曝光光线系带电粒子射束、X射线、极紫外射线、紫外射线及可见光之一。4.如申请专利范围第3项之曝光方法,其中该带电分子射束系一电子射束及一离子射束之一。5.如申请专利范围第2项之曝光方法,其中该光罩图案之垂直方向对应至一曝光装置之扫描方向,该光罩图案包括在该V线光罩上相对于该投射向量所形成之复数个图案形成元素。6.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中该旋转之旋转角度相对于该待曝光物件大约为90度。7.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中将该投射过程循序实施至少两次。8.一种光罩制造方法,其利用用于曝光光线之反射光罩而在待曝光物件上投射一期望图案,该方法包括以下步骤:相对于该曝光光线之一投射向量而分割一光罩图案之复数个图案形成元素,其相对于个别方向而对应至该期望图案;形成个别反射光罩,其各具有仅由复数个图案形成元素组成之光罩图案,该等图案形成元素相对于个别方向系同向;及形成个别方向之个别反射光罩,俾当相对于该投射向量而旋转该反射光罩及该待曝光物件时,个别反射光罩之复数个图案形成元素与该投射向量之角度总是相同。9.如申请专利范围第8项之光罩制造方法,其中该个别方向之反射光罩包括一V线光罩及一H线光罩,V线光罩具有之图案只包括垂直于该投射向量之图案形成元素,而H线光罩具有之图案只包括平行于该投射向量之图案形成元素。10.如申请专利范围第8项之光罩制造方法,其中该曝光光线系带电粒子射束、X射线、极紫外射线、紫外射线及可见光之一。11.如申请专利范围第10项之光罩制造方法,其中该带电粒子射束系一电子射束及一离子射束之一。12.如申请专利范围第9项之光罩制造方法,其中该光罩图案之垂直方向对应至一曝光装置之扫描方向,该光罩图案包括在该V线光罩上相对于该投射向量形成之复数个图案形成元素。13.如申请专利范围第9项之光罩制造方法,其中用于对应至该期望图案之光罩图案之分割过程包括:从一输入设计资料以只在X方向之过小或过大尺寸而拭除X方向中之期望尺寸资料;抽取H线资料,其仅系X方向之图形资料;及藉由从该输入设计资料减去仅系X方向之图形资料而抽取其余图形资料当作V线资料,俾使该其余图形资料对应至在Y方向延伸之V线资料。14.如申请专利范围第8项之光罩制造方法,其中该旋转之旋转角度相对于该待曝光物件大约为90度。15.一种包括微影制程之半导体装置制造方法,其利用用于一曝光光线之反射光罩而在待曝光物件上投射一期望图案,该方法包括以下步骤:藉由分割一光罩图案之复数个图案形成元素,该光罩图案相对于该曝光光线之投射向量对应该期望图案,两提供个别反射光罩,各具有仅由图案形成元素所组成之光罩图案,该图案形成元素之方向与个别纵向相同;藉由在该个别方向发射该曝光光线及其相对于个别反射光罩之反射光,在该曝光物件上循序实施该光罩图案之投射;及当一反射光罩改成另一反射光罩时,旋转该其他反射光罩及该待曝光物件,俾使该其他反射光罩之复数个图案形成元素与该投射向量之角度,成为相等于该一反射光罩之复数个图案形成元素与该投射向量之角度。16.如申请专利范围第15项之半导体装置制造方法,其中该个别方向之反射光罩包括一V线光罩及一H线光罩,V线光罩具有之图案只包括垂直于该投射向量之图案形成元素,而H线光罩具有之图案只包括平行于该投射向量之图案形成元素。17.如申请专利范围第15项之半导体装置制造方法,其中该曝光光线系带电粒子射束、X射线、极紫外射线、紫外射线及可见光之一。18.如申请专利范围第17项之半导体装置制造方法,其中该带电粒子射束系一电子射束及一离子射束之一。19.如申请专利范围第16项之半导体装置制造方法,其中该光罩图案之垂直方向对应至一曝光装置之扫描方向,该光罩图案包括在该V线光罩上相对于该投射向量形成之复数个图案形成元素。20.如申请专利范围第15项之半导体装置制造方法,其中该旋转之旋转角度相对于该待曝光物件大约为90度。图式简单说明:图1根据本发明说明一曝光方法的简要概貌,其中(a)、(b)及(c)说明曝光方法的程序;图2根据本发明以流程图说明一光罩制造方法的程序流程;图3根据本发明以示意图指出具有反射型投射光学系统的曝光装置实例;图4说明图3中曝光装置中所用的反射光罩的一配置范例;图5以示意图说明一光罩的方向;及图6以示意图说明当曝光光线歪斜入射时,藉由模拟投射之后V线及H线的图案宽度的差异而得到的一特定范例。 |
