发明名称 堆叠式电容器之下电极的制造方法
摘要 一种堆叠式电容器之下电极的制造方法,此方法系于基底上形成介电层,再依序形成第一罩幕层与具有数个第一开口的互补图案层。接着,于第一开口中形成第二罩幕层,然后,再移除互补图案层。继之,利用第二罩幕层为硬罩幕,进行第一蚀刻制程,以图案化第一罩幕层。之后,利用第二罩幕层与图案化之第一罩幕层为硬罩幕,进行第二蚀刻制程,以图案化介电层,而形成第二开口。然后,于第二开口的表面形成导电层。
申请公布号 TWI229900 申请公布日期 2005.03.21
申请号 TW092124838 申请日期 2003.09.09
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 陈逸男;陈宽谋
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种堆叠式电容器之下电极的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有复数个电晶体,其中各该电晶体包括一源极/汲极与一闸极;于该基底上形成一介电层;于该介电层上形成一第一罩幕层;于该第一罩幕层上形成一互补图案层,其中该互补图案层中具有复数个第一开口;于该些第一开口中形成一第二罩幕层;移除该互补图案层;以该第二罩幕层为硬罩幕,进行一第一蚀刻制程,以图案化该第一罩幕层;以该第二罩幕层与图案化之该第一罩幕层为硬罩幕,进行一第二蚀刻制程,以图案化该介电层,形成复数个第二开口,其中各该第二开口裸露出各该源极/汲极;以及于该些第二开口的表面形成一导电层。2.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中在进行该第二蚀刻制程中,该第一罩幕层的蚀刻速率小于该介电层的蚀刻速率。3.如申请专利范围第2项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中该第一罩幕层与该介电层的蚀刻选择比系为1:100。4.如申请专利范围第2项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中该第一罩幕层的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中在进行该第二蚀刻制程中,该第二罩幕层的蚀刻速率小于该介电层的蚀刻速率。6.如申请专利范围第5项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中该第二罩幕层与该介电层的蚀刻选择比系为1:50。7.如申请专利范围第5项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中该第二罩幕层的材质包括复晶矽。8.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中该互补图案层之材质与该第二罩幕层之材质不相同。9.如申请专利范围第8项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中该互补图案层之材质包括氧化矽,该第二罩幕层之材质包括复晶矽。10.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中在进行该第二蚀刻制程中,该第一罩幕层的蚀刻速率小于该第二罩幕层的蚀刻速率。11.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中于该第一罩幕层上形成该互补图案层,以及于该些第一开口中形成该第二罩幕层的步骤之间,更包括于该些第一开口之侧壁形成一间隙壁,以形成复数个第三开口。12.如申请专利范围第11项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中移除该互补图案层的步骤中,更包括同时移除该间隙壁。13.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器之下电极的制造方法,其中于该些第二开口的表面形成该导电层的方法包括:于该些第二开口与该第二罩幕层表面形成一导电材料层;于该些第二开口中填入一材料层;进行一研磨制程,以移除该些第二开口以外的该导电材料层;以及去除该第一罩幕层与该第二罩幕层。14.一种图案化的方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一材料层;于该材料层上形成一第一罩幕层;于该第一罩幕层上形成一互补图案层,其中该互补图案层中具有复数个第一开口;于该些第一开口中形成一第二罩幕层;移除该互补图案层;以该第二罩幕层为硬罩幕,进行一第一蚀刻制程,以图案化该第一罩幕层;以及以该第二罩幕层与图案化之该第一罩幕层为硬罩幕,进行一第二蚀刻制程,以图案化该材料层,形成复数个第二开口。15.如申请专利范围第14项所述之图案化的方法,其中在进行该第二蚀刻制程中,该第一罩幕层的蚀刻速率小于该材料层的蚀刻速率。16.如申请专利范围第15项所述之图案化的方法,其中该第一罩幕层与该材料层的蚀刻选择比系为1:100。17.如申请专利范围第15项所述之图案化的方法,其中该第一罩幕层的材质包括氮化矽。18.如申请专利范围第14项所述之图案化的方法,其中在进行该第二蚀刻制程中,该第二罩幕层的蚀刻速率小于该材料层的蚀刻速率。19.如申请专利范围第18项所述之图案化的方法,其中该第二罩幕层与该材料层的蚀刻选择比系为1:50。20.如申请专利范围第18项所述之图案化的方法,其中该第二罩幕层的材质包括复晶矽。21.如申请专利范围第14项所述之图案化的方法,其中在进行该第二蚀刻制程中,该第一罩幕层的蚀刻速率小于该第二罩幕层的蚀刻速率。22.如申请专利范围第14项所述之图案化的方法,其中其中该互补图案层之材质与该第二罩幕层之材质不相同。23.如申请专利范围第22项所述之图案化的方法,其中该互补图案层的材质包括氧化矽,该第二罩幕层之材质包括复晶矽。24.如申请专利范围第14项所述之图案化的方法,其中于该第一罩幕层上形成该互补图案层,以及于该些第一开口中形成该第二罩幕层的步骤之间,更包括于该些第一开口之侧壁形成一间隙壁,以形成复数个第三开口。25.如申请专利范围第24项所述之图案化的方法,其中移除该互补图案层的步骤中,更包括同时移除该间隙壁。26.如申请专利范围第14项所述之图案化的方法,其中该些第二开口系选自一接触窗开口、一沟渠以及一双重镶嵌开口其中之一。图式简单说明:第1A图至第1K图是依照本发明之一较佳实施例的一种堆叠式电容器的下电极之制造流程剖面示意图。
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