| 主权项 |
1.一种加工一石英基材(74)的方法,其包含下列步骤:将一含有水和氢氧化铵的溶液(34)涂布该石英基材;以含有过氧化氢与一种酸的溶液(36)处理该石英基材;以碳酸饱和之水冲洗该处理过的石英基材(38);将一含有水和氢氧化铵的溶液(40)涂布该冲洗过的石英基材;和以碳酸饱和之水(42)再冲洗该石英基材。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该等冲洗(38)和再冲洗(42)该石英基材(74)的每一个步骤包括以去离子水(28)稀释二氧化碳,使得该二氧化碳在该溶液中之范围从1%至10重量%。3.如申请专利范围第1或2项的方法,其进一步包含在涂布该溶液(34)与处理该石英基材(36)的该等步骤之前,以碳酸饱和之水冲洗(32)该石英基材(74)的步骤。4.如申请专利范围第1或2项的方法,其中该等涂布该等含有水和氢氧化铵的溶液(34和40)的步骤包括沿着该石英基材(74)的表面提供一该等溶液的加压流。5.如申请专利范围第4项的方法,其中该等包括提供该加压流(34和40)的步骤进一步包括建立一个在每一平方英寸300至1000磅的范围之中的压力。6.如申请专利范围第1或2项的方法,其中该处理(36)该石英基材(74)步骤包括形成一个硫酸和过氧化氢的水溶液。7.如申请专利范围第6项的方法,其中该形成该水溶液(36)的步骤包括提供该硫酸和该过氧化氢的比例为2:1。8.如申请专利范围第1或2项的方法,其进一步包含在该再冲洗(42)该石英基材之步骤后,接着旋转乾燥(44)该石英基材(74)的步骤。9.如申请专利范围第1或2项的方法,其进一步包含在该石英基材(74)上形成图式化的材料(46),藉此提供一个雷射削磨光罩(18)。10.一种清洗一石英基材的方法,其包含下列步骤:(a)以一包含碳酸饱和之水之冲洗溶液冲洗该石英基材之表面;(b)以具有氢氧化铵之加压的导电性溶液清洁该表面;(c)使用酸与过氧化氢将有机污染物从该表面上移除;(d)以该冲洗溶液冲洗该表面;(e)以该加压的导电性溶液清洁该表面;(f)以该冲洗溶液冲洗该表面;以及(g)乾燥该石英基材。11.如申请专利范围第10项的方法,其中该步骤(a)、(d)与(f)之每一个步骤包括形成使具有碳酸饱和之范围从1%至10重量%之冲洗溶液。12.如申请专利范围第10项的方法,其中该步骤(b)与(e)之每一个步骤包括形成使包括水与氢氧化铵之加压的导电性溶液。13.如申请专利范围第10项的方法,其中移除有机污染物之步骤(c)包括形成使包括二部分之硫酸对一部分之过氧化氢之溶液。14.如申请专利范围第12项的方法,其中该步骤(b)与(e)包括0.05百分比至3.0百分比之氢氧化铵。15.一种制造一雷射削磨光罩的方法,其包含下列步骤:以一包括水与氢化化铵之清洁溶液清洁一透明基材;使用酸与过氧化氢将有机污染物从该基材上移除;以一碳酸饱和之导电性水溶液冲洗该基材;以该清洁溶液再清洁该基材;以该导电性水溶液再冲洗该基材;于该基材之表面上形成至少一图式层,以界定一曝光图式供用于制造加工。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该清洁一透明基材之步骤包括提供一石英基材。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该冲洗与再冲洗之步骤包括形成该碳酸饱和之水之清洁溶液。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该清洁与再清洁步骤包括形成使包括有0.05百分比至3.0百分比氢氧化铵之清洁溶液。图式简单说明:第1图是依据先前技艺,利用雷射削磨的方法形成喷墨列印头的方法的示意图。第2图是依据本发明形成一雷射削磨光罩的步骤的流程图。第3图是使用第2图中的方法在已经被清洁的石英基材上形成气相沈积层之元件的方块图。第4图是在第3图之该基材上沈积一介电堆叠层的步骤的流程图。 |
