| 主权项 |
1.一种高电流半导体构造,其包含:复数汲极区,且复数汲极接触形成于每一汲极区之中;复数源极区,且复数源极接触形成于每一源极区之中;量子活动区,具量子活动能力;复数闸极区,且每一闸极区位于一该汲极区及一该闸极区之间;第二金属层位于该汲极区或源极区的上方,具有电路导通功能,与该汲极区或源极区相电通接触;第三金属层,位于该第二金属层的上方,具有电路导通功能,与闸极区相电通接触;其中汲极区、源极区及闸极区形成复数个电晶体;藉由第三金属层的设置,使得源极或汲极可连接一电导通量较大之区域使电流量加大。2.如申请专利范围第1项所述之高电流半导体构造,其中第一金属层形成于该汲极区或源极区之中,具有电路导通功能,且汲极区以汲极接触与该量子活动区相电通接触或源极区以源极接触与量子活动区相电通接触。3.如申请专利范围第1项所述之高电流半导体构造,其中该汲极接触与第二金属层或第三金属层相电通连接,藉此汲极并连连接多个金属层使得导通电流加大。4.如申请专利范围第1项所述之高电流半导体构造,其中该源极接触与第二金属层或第三金属层相电通连接,藉此源极并连连接多个金属层使得导通电流加大。5.如申请专利范围第1项所述之高电流半导体构造,第三金属层具与第二金属层并连之接点,藉此并连安排使得导通电流得以加大。6.如申请专利范围第1项所述之高电流半导体构造,其中第一金属层与第二金属层电通连接且系以第一垂直连通层连接。7.如申请专利范围第1项所述之高电流半导体构造,其中第二金属层与第三金属层电通连接且系以第二垂直连通层连接。图式简单说明:第一图:为习知两层金属层之具电晶体之积体电路构造示意图;及第二图:为本创作三层金属层之具电晶体之积体电路构造示意图。 |
