| 主权项 |
1.一种具有半导体基板之半导体装置,包含:一内部电极层,形成在半导体基板上;一阻障金属层,形成在内部电极上;一外部电极层,形成在阻障金属层上、由该内部电极层、该阻障金属层、及该外部电极层组成一焊垫电极,以及一配线,电连接至该焊垫电极,其中该配线的聚合部分系连接于该外部电极层,且该外部电极层的区域大小,系大于于该焊垫电极上配线的聚合部分区域大小,并且小于该阻障金属层的平面区域大小。2.如申请专利范围第1项之具有半导体基板之半导体装置,其中:外部电极层由铝或含铝为主成分之合金组成。3.如申请专利范围第2项之具有半导体基板之半导体装置,其中:配线由金或含金为主成分之合金组成。4.如申请专利范围第1项之具有半导体基板之半导体装置,其中:外部电极层的区域系设为配线的聚合部分区域的1.2至10倍。5.如申请专利范围第1项之具有半导体基板之半导体装置,其中:半导体基板包含超高频电路装置。6.如申请专利范围第5项之具有半导体基板之半导体装置,其中:配线构成部分的超高频电路装置。7.如申请专利范围第1项之具有半导体基板之半导体装置,其中:外部电极层在阻障金属层上形成岛状。8.如申请专利范围第1项之具有半导体基板之半导体装置,其中:该焊垫电极的该外部电极层之区域系设定以抑制该配线与该焊垫电极间电阻的经时变化。图式简单说明:图1系习知半导体装置之基本部分的放大侧视剖面图;以及图2系依照本发明实施例之半导体装置之基本部分的放大侧视剖面图。 |
