| 主权项 |
1.一种覆晶式发光二极体封装阵列,包括:一陶瓷基板,其系由一可提供耐制程共熔温度之材质所构成;一金属连线层,其系布线于该陶瓷基板表面上;以及复数个发光二极体晶片,安装于该陶瓷基板上之金属连线层,以藉由该金属连线层使该等发光二极体晶片相互电性连接在一起,以形成一电性回路。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中在该陶瓷基板上更设有复数个凹穴,以供容置至少一该发光二极体晶片。3.如申请专利范围第2项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中该凹穴之表面系设有一反射膜。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中在该发光二极体晶片之周围更环设有一反射盖。5.如申请专利范围第4项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中在该反射盖内系具有一个/多个之发光二极体晶片。6.如申请专利范围第4项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中在该反射盖之上表面更覆盖有一透镜。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中该陶瓷基板之材质系选自氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铍(BeO)、碳化矽(SiC)、氧化锆(ZrO2)及玻璃陶瓷(glass ceramic)。8.如申请专利范围第1项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中该电性回路系为并联、串联及串并联的其中之一者。9.如申请专利范围第1项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中在该陶瓷基板之另一表面更设有一金属板。10.如申请专利范围第1项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中该发光二极体晶片系利用一共晶材料安装于该金属连线层上。11.如申请专利范围第10项所述之覆晶式发光二极体封装阵列,其中该共晶材料系为金-锡、金-矽等共晶材料。12.一种覆晶式发光二极体封装单元,包括:一金属本体;一陶瓷基板,其系设置于该金属本体上,并在该陶瓷基板上布有一导电层;一发光二极体晶片,其系安装于该陶瓷基板上之导电层表面而形成电性连接,且该陶瓷基板系由一与该发光二极体晶片之热膨胀系数相匹配之材质所构成者;一对外承载基板,其系设置于该金属本体上,且该发光二极体晶片系透过该导电层而与该对外承载基板形成电性连接,以作为对外之导电接点;以及一透镜,其系覆盖住该发光二极体晶片。13.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中在该金属本体上更设有一凹穴,以供容置该陶瓷基板及该发光二极体晶片。14.如申请专利范围第13项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该凹穴之表面系设有一反射膜。15.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中在该发光二极体晶片周围之该对外承载基板上更环设有一反射盖,使该透镜系安装于该反射盖上。16.如申请专利范围第15项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该反射盖之内表面设有一反射膜。17.如申请专利范围第15项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该反射盖系利用一非导电接着剂安装于该对外承载基板上。18.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该陶瓷基板之材质系选自(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铍(BeO)、碳化矽(SiC)、氧化锆(ZrO2)及玻璃陶瓷(glass ceramic)。19.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该对外承载基板系选自印刷电路板及金属导线架。20.如申请专利范围第19项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该金属导线架更可利用烧结方式安装于该陶瓷基板上。21.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该陶瓷基板上之导电层系利用复数条金属引线与该对外承载基板形成电性连接。22.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该对外承载基板系位于该陶瓷基板之下表面,使该对外承载基板利用数导电插塞与该陶瓷基板形成电性连接。23.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中在该陶瓷基板之下表面更设有一金属散热鳍片。24.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该发光二极体晶片系利用一共晶材料安装于该陶瓷基板的导电层上。25.如申请专利范围第24项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该共晶材料系为金-锡、金-矽等共晶材料。26.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该陶瓷基板系利用一导热胶、焊锡安装于该金属本体上。27.如申请专利范围第12项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该金属本体之材质系包括铜金属。28.一种覆晶式发光二极体封装单元,包括:一陶瓷基板,其系由一可提供耐制程共熔温度之材质所构成;一金属连线层,其系布线于该陶瓷基板表面上;以及至少一发光二极体晶片,安装于该陶瓷基板上之金属连线层而形成相互电性连接。29.如申请专利范围第28项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中在该陶瓷基板上更设有复数个凹穴,以供容置该发光二极体晶片。30.如申请专利范围第29项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该凹穴之表面系设有一反射膜。31.如申请专利范围第28项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中在该发光二极体晶片之周围更环设有一反射盖。32.如申请专利范围第31项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中在该反射盖之上表面更覆盖有一透镜。33.如申请专利范围第28项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该陶瓷基板之材质系选自(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铍(BeO)、碳化矽(SiC)、氧化锆(ZrO2)及玻璃陶瓷(glass ceramic)。34.如申请专利范围第28项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中在该陶瓷基板之另一表面更设有一金属板。35.如申请专利范围第28项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该发光二极体晶片系利用一共晶材料安装于该金属连线层上。36.如申请专利范围第35项所述之覆晶式发光二极体封装单元,其中该共晶材料系为金-锡、金-矽等共晶材料。图式简单说明:第一图为本发明之串并联封装阵列的结构俯视图。第二图为本发明之并联封装阵列的结构示意图。第三图为本发明之串联封装阵列的结构示意图。第四图为本发明之封装阵列的结构剖视图。第五图至第九图分别为本发明之封装单元的各种实施例。 |
