| 主权项 |
1.一种固相薄片之制造方法,其系使具有成长面之 基体,接触含有金属材料或半导体材料中至少一方 之材料融液,使上述材料成长于基体俾制造上述材 料之固相薄片者,其特征为:基体表面系由周边沟 至少局部划分为周边部与上述周边沟包围之内侧 部。 2.一种固相薄片之制造方法,其系使具有成长面之 基体,接触含有金属材料或半导体材料中至少一方 之材料融液,使上述材料成长于基体表面俾制造上 述材料之固相薄片者,其特征为:基体表面系由周 边沟划分为周边部与上述周边沟包围之内侧部,且 上述周边部与内侧部之一部分连接。 3.一种固相薄片之制造方法,其系使具有成长面之 基体,接触含有金属材料或半导体材料中至少一方 之材料融液,使上述材料成长于基体表面俾制造上 述材料之固相薄片者,其特征为:基体表面系由周 边沟划分为周边部与基体周边沟包围之内侧部,且 于基体进行方向前后至少形成1处相互连接上述周 边部与内侧部一部分之连接部分。 4.如申请专利范围第1项之固相薄片之制造方法,其 中使配置于冷却旋转体外周之平坦基体表面,接触 含有金属材料或半导体材料中至少一方之材料融 液,俾于其基体表面上形成固相薄片。 5.如申请专利范围第1项之固相薄片之制造方法,其 中固相薄片系分离形成为以周边沟划分之内侧部 与周边部(26),将形成于上述内侧部表面之固相薄 片,作为制品利用。 6.如申请专利范围第1项之固相薄片之制造方法,其 中形成分割沟,其系将上述基体表面之以上述周边 沟划分之内侧部,分割为复数表面区,内侧部可得 以分割沟分割之复数固相薄片。 7.如申请专利范围第1项之固相薄片之制造方法,其 中周边沟之横剖面系整体实质形成V字状。 8.如申请专利范围第1项之固相薄片之制造方法,其 中上述基体表面系内侧部与周边部相互具有阶差 形成。 9.如申请专利范围第8项之固相薄片之制造方法,其 中上述基体系具有相互连接内侧部与周边部一部 分之连接部。 10.如申请专利范围第8项之固相薄片之制造方法, 其中内侧部系对周边部形成凸形状。 11.如申请专利范围第10项之固相薄片之制造方法, 其中内侧部与周边部之阶差系形成2mm至10mm。 12.如申请专利范围第8项之固相薄片之制造方法, 其中基体内侧部系于基体表面形成凹形状。 13.如申请专利范围第12项之固相薄片之制造方法, 其中内侧部与周边部之阶差系形成2mm至20mm。 14.一种太阳能电池,其特征为:系使用以申请专利 范围第8项之制造方法所得之固相薄片者。 图式简单说明: 图1系依本发明形成周边沟之基体透视图。 图2A系图1所示基体平面图,图2B系沿图2A之2-2剖面 图,图2C系沿图2A之II-II剖面图。 图3系依本发明形成周边沟之基体透视图。 图4A系图3所示基体平面图,图4B系沿图4A之4-4剖面 图,图4C系沿图4A之IV-IV剖面图。 图5系依本发明形成周边沟之基体透视图。 图6系依本发明形成周边沟之基体透视图。 图7系依本发明形成周边沟之基体示意透视图。 图8系依本发明之由矽融液制造固相薄片之薄片制 造装置透视图。 图9系依本发明之由矽融液制造固相薄片之薄片制 造装置示意剖面图。 图10系依本发明形成周边沟之基体安装状态透视 图。 图11系依本发明形成周边沟之基体剖面图。 图12系未形成周边沟之先前基体透视图。 图13系未形成周边沟之基体剖面图。 图14系依本发明之由矽融液制造固相薄片之薄片 制造装置一例模式剖面图。 图15系于图14之制造装置固相薄片成长之基体一例 图解模式剖面图。 图16A系图15所示基体平面图,图16B系沿图16A之线16- 16剖面图,图16C系沿图16A之线XVI-XVI剖面图。 图17系本发明之固相薄片形成方法所用基体平面 图。 图18系说明本发明所用基体构造之尺寸关系模式 剖面图。 图19系说明本发明所用基体构造之尺寸关系模式 剖面图。 图20系本发明之基体周边沟模式剖面图。 图21系本发明之基体周边沟模式剖面图。 图22A~图22C系本发明所用基体上凝固成长之固相薄 片成长过程模式剖面部分图。 图23系先前之基体模式剖面图。 图24系内侧部具有凸形状基体上成长固相薄片状 态之示意透视图。 图25系内侧部具有凸形状基体上成长固相薄片状 态之放大剖面图。 图26系内侧部具有凸形状基体上成长固相薄片状 态之放大剖面图。 图27系内侧部具有凸形状基体上成长固相薄片状 态之放大剖面图。 图28系内侧部具有凹形状基体上成长固相薄片状 态之示意透视图。 图29系内侧部具有凸形状基体上成长固相薄片状 态之示意剖面图。 图30系固相薄片制造装置之示意剖面图。 图31系内侧部具有凹形状基体一剖面图。 图32系内侧部具有凸形状基体一剖面图。 |
