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发明名称
FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE ADOPTING NF3 HIGH DENSITY PLASMA OXIDE LAYER
摘要
申请公布号
KR100477810(B1)
申请公布日期
2005.03.21
申请号
KR20030043145
申请日期
2003.06.30
申请人
发明人
分类号
H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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