| 发明名称 |
STORAGE LOCATION HAVING AN IONIC CONDUCTION STORAGE MECHANISM AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| 摘要 |
<p>Es werden eine Speicherzelle (1) mit einem Ionenleitungsspeichermechanismus sowie ein Verfahren zu deren Herstellung vorgestellt. Kerngedanke der erfindungsgemäßen Speicherzelle (1) und des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens ist, dass ein entsprechendes ionenleitfähiges Speicherelement (100) ausgebildet ist oder wird, indem ein erster Materialbereich (10) aus Wolfram (W) mit einem zweiten Materialbereich (20) aus Wolframoxid (WOx) in mechanischem und elektrischem Kontakt miteinander vorgesehen sind oder werden.</p> |
| 申请公布号 |
WO2005024839(A1) |
申请公布日期 |
2005.03.17 |
| 申请号 |
WO2004DE02016 |
申请日期 |
2004.09.10 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;PINNOW, CAY-UWE |
发明人 |
PINNOW, CAY-UWE |
| 分类号 |
G11C13/02;H01L45/00;(IPC1-7):G11C13/02 |
主分类号 |
G11C13/02 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
