| 发明名称 |
Integriertes Fet- und Schottky-Bauelement |
| 摘要 |
Ein Halbleiterbauelement mit einem Schottky-Bauelement und einem Halbleiterschaltbauelement des Grabentyps wie z. B. ein in einem gemeinsamen Chip ausgebildeter MOSFET.
|
| 申请公布号 |
DE102004036330(A1) |
申请公布日期 |
2005.03.17 |
| 申请号 |
DE200410036330 |
申请日期 |
2004.07.27 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP., EL SEGUNDO |
发明人 |
HE, DONALD;SODHI, RITU;CHIOLA, DAVIDE |
| 分类号 |
H01L29/872;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8248;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/76;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/872 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
