发明名称 Messung niedriger Wafer-Temperaturen
摘要 Um auf einfache und kostengünstige Weise eine auf Pyrometern basierende Temperaturmessung vorzusehen, die eine genaue Temperaturmessung auch bei geringen Temperaturen ermöglicht, gibt die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten an, bei der bzw. bei dem das Substrat mit wenigstens einer ersten und wenigstens einer zweiten Strahlung bestrahlt wird, vorgegebene Wellenlängen der ersten Strahlung zwischen einer ersten Strahlungsquelle und dem Substrat absorbiert werden, eine vom Substrat kommende Strahlung an der vorgegebenen Wellenlänge mit einem Strahlungsdetektor, der auf derselben Seite wie eine zweite Strahlungsquelle angeordnet ist, gemessen wird, die von der zweiten Strahlungsquelle ausgehende zweite Strahlung moduliert wird und die von der zweiten Strahlungsquelle ausgehende zweite Strahlung ermittelt wird.
申请公布号 DE10222879(A1) 申请公布日期 2005.03.17
申请号 DE2002122879 申请日期 2002.05.23
申请人 MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH 发明人 HAUF, MARKUS;STRIEBEL, CHRISTOPH
分类号 H01L21/31;C23C16/48;C30B31/12;C30B33/02;H01L21/00;H01L21/26;H05B3/00;(IPC1-7):H01L21/324;F27B17/00;B01J19/08;H01L21/66 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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