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<p>Halbleiter-Speicherbauelement, und Verfahren zum Betrieb eines Halbleiter-Speicherbauelements Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Speicherbauelement (1), und ein Verfahren zum Betrieb eines Halbleiter-Speicherbauelements (1), welches mehrere Speicherzellen-Affays (3a, 3b, 3c, 3d) aufweist, die jeweils mehrere Speicherzellen-Sub-Arrays (8a, 8b, 8c, 8d) aufweisen, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: Aktivieren (ACT) eines ersten Speicherzellen-Sub-Arrays (8a) oder von - in einer ersten Menge von Speicher7ellen enthaltenen - Speicherzellen des ersten Speicher7ellen-Sub-Arrays (8a), insbesondere von in ein- und derselben Zeile oder Spalte des ersten Speicherzellen Sub-Arrays (8a) liegenden Speicherzellen, wenn auf eine oder mehrere der in dem ersten Speicherzellen-Sub-Array (8a) oder in der ersten Menge von Speicherzellen enthaltenen Speicherzellen zugegriffen werden soll; Zugreifen (RD) auf die entsprechende Speicherzelle oder Speicherzellen; d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass das Verfahren zusätzlich den Schritt aufweist: Belassen des ersten Speicherzellen-Sub-Arrays (8a) oder der - in der ersten Menge von Speicherzellen enthaltenen -Speicherzellen des ersten Speicherzellen-Sub-Arrays (8a) im aktivierten Zustand, wenn ein Zugriff auf eine oder mehrere weitere Speicherzellen erfolgen soll, die in einem zweiten Speicherzellen-Sub-Array (8c) desselben Speicherzellen-Arrays (3a, 3b, 3c, 3d) enthalten sind, wie der erste Speicherzellen-Sub-Array (8a).</p> |
