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Die Erfindung bezieht sich auf eine Reparaturvorrichtung für einen Halbleiterspeicherbaustein (200), welcher ein Hauptspeicherzellenfeld (210), eine Vordecoder (240) für ein externes Adressensignal (RADD) und einen zweiten Decoder (220) umfasst, der einen Decodiervorgang mit dem vordecodierten Adressensignal (DRA) durchführt, auf ein zugehöriges Reparaturverfahren und einen zugehörigen Halbleiterspeicherbaustein. DOLLAR A Erfindungsgemäß umfasst die Reparaturvorrichtung eine Reparatursteuerschaltung (253), welche ein Adressensignal für eine erste defekte Zelle (210) oder eine Adresse für eine zweite defekte Zelle des Hauptspeicherzellenfelds (210) programmiert und in Reaktion auf das vordecodierte Adressensignal ein Steuersignal (REN) ausgibt, wobei die erste defekte Zelle während eines Waferleveltests und die zweite defekte Zelle während eines Post-Packungs-Tests detektiert werden, ein redundantes Speicherzellenfeld (251), welches aktiviert wird, um die erste oder zweite defekte Zelle zu reparieren, und einen Redundanzdecoder (252), welcher in Reaktion auf das Steuersignal (REN) freigeschaltet wird, um redundante Speicherzellen zu aktivieren, oder gesperrt wird. Der zweite Decoder (220) wird vom Steuersignal (REN) gesperrt, wenn der Redundanzdecoder (252) freigeschaltet wird. DOLLAR A Verwendung in der Halbleiterspeichertechnologie.
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