Verfahren zur Projektion eines auf einer Maske angeordneten Schaltungsmusters auf einen Halbleiterwafer

摘要

Es wird eine Simulation einer Projektion anhand eines elektronisch gespeicherten Schaltungsmusters (30) sowie anhand von einstellbaren Projektionsparametern und den die speziellen Eigenschaften eines Projektionsapparates kennzeichnenden optischen Paramter durchgeführt. In dem berechneten Schaltungsmuster (30) werden Positionen (P) identifiziert, an denen Side Lobes im Falle einer tatsächlichen Projektion voraussichtlich auftreten werden. Die Positionen (P) der Side Lobes werden an eine Fertigungseinheit (F) übermittelt und in ein Meßprogramm aufgenommen. Mit dem Meßprogramm wird ein durch eine inzwischen hergestellte Maske (10) tatsächlich belichteter Wafer (9) wenigstens an genau den übermittelten Positionen (P) auf Side Lobes hin inspiziert. In Abhängigkeit von dem Detektionsergebnis werden die einstellbaren Projektionsparameter angepaßt, eine strahlungsempfindliche Schicht (8) auf dem Wafer (9) ab- und neu aufgetragen und die Projektion mit den angepaßten Projektionsparametern wiederholt. Der Regelprozeß wird bis zur vollständigen Verhinderung der Side Lobes wiederholt.