具有埋入式浮闸及尖头通道区之浮闸记忆体晶胞之半导体记忆体阵列

摘要

一种浮闸记忆体晶胞阵列，其中沟渠系形成于半导体基板内。源极区域形成于沟渠下方，汲极区域沿着基板表面形成，以及源极区域及汲极区域之间的通道区域包括沿着沟渠侧壁垂直延伸的第一部分，以及沿着基板表面水平延伸的第二部分。浮闸系位在邻近通道区域第一部分并与其绝缘之沟渠内。控制闸系位在通道区域第二部分上并与其绝缘。沟渠侧壁与基板表面以锐角接合，形成一尖锐边缘。通道区域第二部分以朝向尖锐边缘及浮闸的方向自第二区域延伸，以界定利用电子经由热电子射入以程式化此浮闸的路径。