发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明系提供一种内建行使短波长受发光元件,以进行与外部之光信号输出入的半导体装置,及其制造方法者。系具有:由底部(12A)及侧部(12B)所成,在上部具有开口部的匣体收容半导体装置(13)。而引线(11)系埋设于底部(12A),且将一端配置于半导体元件(13)附近,由金属细线(14)将半导体装置(13)及引线(11)予以连接。而该匣体(12)开口部系由半导体元件(13)对受发光的光线为透明的材料所构成之盖部(15)所覆盖者。
申请公布号 TW200511906 申请公布日期 2005.03.16
申请号 TW093124626 申请日期 2004.08.17
申请人 三洋电机股份有限公司;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 井野口浩
分类号 H05K1/00 主分类号 H05K1/00
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本