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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
本发明系提供一种内建行使短波长受发光元件,以进行与外部之光信号输出入的半导体装置,及其制造方法者。系具有:由底部(12A)及侧部(12B)所成,在上部具有开口部的匣体收容半导体装置(13)。而引线(11)系埋设于底部(12A),且将一端配置于半导体元件(13)附近,由金属细线(14)将半导体装置(13)及引线(11)予以连接。而该匣体(12)开口部系由半导体元件(13)对受发光的光线为透明的材料所构成之盖部(15)所覆盖者。
申请公布号
TW200511906
申请公布日期
2005.03.16
申请号
TW093124626
申请日期
2004.08.17
申请人
三洋电机股份有限公司;关东三洋半导体股份有限公司
发明人
井野口浩
分类号
H05K1/00
主分类号
H05K1/00
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
日本
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