金属氧化半导体电晶体的制造方法

摘要

一种金属氧化半导体电晶体的制造方法，系提供一基底，其中于基底上形成有一闸极结构，再于闸极结构侧壁形成一第一间隙壁，接着，对基底进行一预非晶矽化植入制程，以使部分基底非晶矽化，再于第一间隙壁两侧之基底中形成一源极／汲极延伸掺杂区，然后，于第一间隙壁的侧壁形成一第二间隙壁，再于第二间隙壁两侧之基底中形成一源极／汲极掺杂区，其后，进行一预回火制程，再进行一固相磊晶制程，以使非晶矽化之部分基底再结晶，并活性化源极／汲极延伸掺杂区与源极／汲极掺杂区以形成一源极／汲极，之后再进行一后回火制程。