一种制作沟渠电容浅沟绝缘之方法

摘要

本发明系提供一种与逻辑制程相容之沟渠电容浅沟绝缘制程。本发明制作方法包含有提供一半导体基底，其上具有一硬遮罩，其中该半导体基底上已制作有复数个深沟渠电容结构，各该深沟渠电容结构包含有电容电极、电容介电层、电容下电极以及颈氧化层；于该半导体基底上沈积一介电层；将该介电层平坦化至该硬遮罩表面，剩余之介电层则填满该深沟渠电容结构上方之凹陷缺口；于该半导体基底上沈积一缓冲层；于该缓冲层上形成定义有浅沟绝缘图案开口之光阻遮罩；进行一电浆乾蚀刻，经由该浅沟绝缘图案开口，利用该介电层以及该头氧化层作为蚀刻遮罩，保护各该深沟渠电容结构，选择性地蚀刻该缓冲层、该硬遮罩，最后蚀刻该半导体基底，形成绝缘浅沟；以及于该绝缘浅沟内填入沟渠绝缘材料。