接面隔离主动元件的形成方法

摘要

本发明提供一种接面隔离主动元件的形成方法。提供一半导体基底，其上具有复数个预定的主动区，并且在任两个主动区之间具有至少一预定的隔离区。形成一第一闸极结构于位在主动区之部分基底上，并且形成一第二闸极结构于位在隔离区之基底上。形成一第一离子掺杂区于位在第一、第二闸极结构两侧之基底内。形成一底抗反射层于基底与第一、第二闸极结构上。非等向性去除部分底抗反射层而露出第二闸极结构。去除第二闸极结构而露出基底表面。形成一第二离子掺杂区于位在隔离区之基底中。去除底抗反射层。