薄膜半导体元件,及薄膜半导体元件的制造方法

摘要

本发明的课题是在于提供一种可形成闸极电极的低电阻化，源极电极的电容器容量的低减，蚀刻性的提升之薄膜半导体元件及其制造方法。亦即，本发明之薄膜半导体元件，系于基板1上具备半导体膜5，及连接至该半导体膜5的源极／汲极电极24，23，及隔着绝缘膜6来配置于上述半导体膜5的闸极电极14，其特征为：上述源极／汲极电极24，23的膜厚比上述闸极电极14的膜厚更薄。