半导体晶片和积体电路晶片以及形成具有完全矽化结构之半导体元件和形成具有完全矽化之闸电极的电晶体之方法

摘要

一具有复数个矽化之多晶矽结构的半导体元件，其中系提供该些多晶矽结构一大致均匀的矽化反应。闲置多晶矽结构于矽化反应前形成于基底上，其可允许晶圆表面得以平坦而不致产生一过度凹陷处，并导致参与矽化反应的金属量于不同多晶矽结构中大致均匀地分布。