动态随机存取记忆胞及其制造方法

摘要

一种动态随机存取记忆胞，其包括配置在一基底上之半导体柱体、配置在半导体柱体下部之侧壁上的电容器以及配置在半导体柱体上部之侧壁上的垂直式电晶体。而垂直式电晶体系包括第一掺杂区、第二掺杂区、闸极以及闸绝缘层。而第一掺杂区系位于半导体柱体之侧壁中且与电容器相连接，且第二掺杂区系位在半导体柱体上部中。闸极则系配置在第一掺杂区与第二掺杂区之间的半导体柱体侧壁上，而闸绝缘层系配置在侧壁与闸极之间。