双复晶矽层及其制造方法

摘要

一种具有双复晶矽电极之半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括一第一复晶矽层，其沉积于一第二复晶矽层之上。每一层复晶矽可单独掺杂形成，因此可使晶圆上的某些半导体元件具有单复晶矽层，而其他元件则具有双复晶矽层。在一实施例中，此半导体元件被用为构成记忆元件，其中位于晶胞区之储存电容及电晶体由双复晶矽层所构成，而位于周边区之元件则由单复晶矽层所构成。