内连线结构及其制造方法

摘要

一种内连线结构，系在介电层中形成一开口，再以原子层沈积法(ALD)在开口侧壁与底部上形成扩散阻障层与低阻值金属层作为复合式扩散阻障层，以阻隔后续形成的铜导线扩散并增进其附着力。较佳之复合式扩散阻障层为以原子层沈积法形成之双层式TiN、双层式TaN、三层式Ta／TaN／富Ta之TaN复合层或三层式Ta／TaN／Ta复合层。