发明名称 | 一种制作瓶状深沟渠之方法 | ||
摘要 | 本发明之较佳实施例系揭露一种制作瓶状深沟渠之方法,包含有提供一基底,其上设有一衬垫层;蚀刻该衬垫层以及该基底,形成一深沟渠,其具有垂直侧壁以及底面;于该深沟渠垂直侧壁以及底面上沈积一氮化矽保护层;以离子轰击部分位于该深沟渠上部之该氮化矽保护层;选择性地蚀刻掉被离子轰击之该氮化矽保护层,暴露出该深沟渠上部之该基底,且留下之位于该深沟渠下部之该氮化矽保护层构成一氮化矽遮罩;氧化该深沟渠上部之暴露基底,形成一颈部氧化矽层;选择性地去除该氮化矽遮罩;以及利用该颈部氧化矽层为蚀刻遮罩,等向性蚀刻未被该颈部氧化矽层覆盖之该深沟渠垂直侧壁以及底面,如此形成一瓶状深沟渠。 | ||
申请公布号 | TW200511492 | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
申请号 | TW092125401 | 申请日期 | 2003.09.15 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈逸男 |
分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |