发明名称 一种缺陷原因分析的方法
摘要 首先提供一样本,该样本之上表面上具有复数个缺陷,接着进行一缺陷检测,以侦测出该等缺陷之大小及位置,并对该样本进行一化学组成分析,再根据该化学组成分析之结果来进行一图谱分析,最后根据该图谱分析之结果来判别该等缺陷之产生原因。
申请公布号 TW200511461 申请公布日期 2005.03.16
申请号 TW092124393 申请日期 2003.09.03
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 林龙辉
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市科学园区力行一路12号