| 摘要 |
本发明系揭示一种具有铜接点(16、18)之积体电路晶片(10)，该铜接点一经曝露于周围空气便形成原生氧化铜。将一有机材料施加于该铜接点，该材料与该原生氧化物反应以于该铜接点上形成一有机涂层(12、14)，从而防止铜进一步氧化。以此方式，过度铜氧化并不抑制更高温度下(例如大于100摄氏度之温度)的进一步处理。例如，由于该有机涂层，该导线焊接程序之高温并不会导致妨碍可靠导线焊接之过度氧化。因此，该有机涂层之形成允许可靠且耐热之导线焊接(32、34)。或者，在该积体电路晶片形成期间任何时候均可在曝露的铜上形成该有机涂层，以防止或限制铜氧化之形成。 |
